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当其他存储巨头因人工智能驱动的价格飙升而一路高歌猛进时，日本铠侠似乎仍在等待转机。该公司在11月13日发布的最新财报显示，2025财年第二季度(7月至9月)净利润为407亿日元，较去年同期下降62%。
日经新闻指出，尽管人工智能数据中心对内存的需求激增，但铠侠的季度利润仍低于市场预期，未能达到474亿日元的普遍预期。不过，该报道暗示，继第二季度利润暴跌74%之后，该公司可能已经触底反弹。
业内人士将盈利未达预期主要归因于产品组合的变化，指出季节性智能手机需求推动低利润率的智能设备产品占比高达35%。然而，随着供应趋紧，产品组合重新向高利润率的服务器和PC固态硬盘倾斜，盈利能力预计将会反弹。
尽管短期内盈利面临不利因素，铠侠对未来几个季度仍持乐观态度。该公司预计，在平均售价上涨和人工智能驱动的NAND闪存强劲需求的推动下，2025财年第三季度营收将创历史新高，利润也将强劲复苏。营收预计将环比增长12%至23%，从4483亿日元增至5000亿至5500亿日元；非GAAP净利润预计将飙升46%至113%，达到610亿至890亿日元。
展望NAND闪存市场，铠侠预测，到2025年，需求将超过供应，推动比特增长率达到15%左右。该公司指出，随着供应限制的加剧，预计到2026年，这一增长速度将加速至10%以上。
展望未来，铠侠表示，其第 8 代 BiCS 闪存将从 2026 年初开始推动人工智能需求，同时 245TB QLC SSD 的量产和第 10 代 BiCS 闪存的推出也指日可待。
正如彭博社此前报道，铠侠预计，受人工智能数据中心需求增长的推动，NAND闪存的需求将以每年约20%的速度增长。为了应对这一增长，该公司宣布位于日本岩手县北上工厂的Fab2工厂正式投产。正如其新闻稿所强调的，Fab2的产能将根据市场趋势逐步提升，预计将于2026年上半年实现显著产量。
NAND闪存巨头将在2025年下半年削减产量
由于 SanDisk 暗示 NAND 闪存供应将在 2026 年前保持紧张，主要存储器制造商采取了出乎意料的谨慎态度。据《朝鲜商业》报道，三星电子、SK 海力士、铠侠和美光已联合宣布缩减 2025 年下半年的 NAND 闪存产量，这将进一步推高价格。
报告指出，此举是旨在提振NAND闪存价格的协同努力的一部分，自去年以来，NAND闪存的价格一直徘徊在成本附近。据《朝鲜商业》报道，三星正在与全球主要客户谈判明年的供应协议，并考虑将价格提高20%至30%甚至更多。
与此同时，《朝鲜商业》指出，SK海力士和美光也在收紧产能以把握价格上涨的良机。据报道，SK海力士已将NAND闪存产量削减了约10%，而美光也采取了类似的谨慎态度，将其位于新加坡的Fab 7工厂的产量维持在30万片左右。
随着主要NAND闪存供应商同步减产以应对人工智能驱动的激增需求，价格正在快速攀升。报告援引的行业数据显示，仅上个季度NAND闪存价格就上涨了15%，未来几个月可能还会再上涨40%至50%。
TrendForce预计，第四季度NAND闪存合约价格将上涨5%至10%，现货市场价格将更快升温，强劲的合约需求将推动报价更加频繁且更具竞争力。据TrendForce数据显示，本周512Gb TLC晶圆现货价格飙升17.07%，达到每片6.455美元。预计短期内市场供应将保持紧张，价格上涨势头可能延续至下一季度。然而，TrendForce提醒，如果合约价格上涨过快或终端需求放缓，现货价格可能在2026年初回落。
QLC转换速度加快
另一方面，存储巨头们也开始转向四层单元NAND闪存，人工智能数据中心对QLC的需求十分强劲。据《朝鲜商业》报道，与每个单元存储3位数据的TLC闪存不同，QLC闪存每个单元存储4位数据，密度提升约30%，使其成为人工智能工作负载高容量固态硬盘的理想选择。
据DealSite报道，SK海力士计划于2026年下半年开始出货321层QLC NAND产品，并大幅提升其市场份额。与此同时， DealSite还指出，三星正在加大对QLC NAND闪存的投资，并将286层V9闪存作为明年的旗舰产品。报道指出，三星去年启动的QLC闪存扩张战略初期进展缓慢，但如今在NAND闪存价格上涨的推动下，三星正在加速推进。
据DealSite报道，该公司计划于2026年初提高V9 QLC NAND闪存的产量，初期将重点放在位于平泽园区的4号工厂一期工程上。报道还指出，三星位于中国西安的工厂的部分生产线也已开始生产该闪存。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第4225期内容，欢迎关注。
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