芯片涨价潮来势汹汹。
据最新消息，台积电2026年将进一步提升先进制程报价，先进制程涨幅预计将达3%至10%，这将是这家全球最大晶圆代工厂连续第四年上调价格。
种种迹象表明，全球芯片涨价潮正愈演愈烈。据供应链消息，三星电子已率先暂停10月DDR5DRAM合约报价，引发SK海力士和美光等其他存储原厂跟进，恢复报价时间预计或将延后至11月中旬。
市场层面，今日SK海力士、三星电子股价持续拉升，截至韩国股市收盘，SK海力士暴涨近11%；三星电子大涨超3%，再度创出历史新高。A股存储芯片概念股亦集体走强，太极实业直线涨停，香农芯创大涨超8%续创历史新高，普冉股份大涨超14%，江波龙、商络电子、兆易创新、北京君正等跟涨。
台积电大消息
11月3日，据中国台湾《经济日报》援引产业人士消息，受生产成本攀升及产能持续供不应求影响，台积电已启动与客户的年度议价沟通，预计2026年先进制程涨幅将达3%至10%。
据消息人士透露，台积电已通知客户，自9月起，针对5纳米以下先进制程启动连续4年涨价计划，涨幅将依个别客户采购等级与合作情况而异。其中，最抢手的3纳米制程报价预计至少上涨个位数百分比。
业界形容这是“AI时代以来首次长期涨价行动”。展望2026年，台积电的先进芯片工艺将面临巨大的产能瓶颈，这主要是因为高性能计算客户在公司订单中所占比例越来越大。
分析认为，台积电罕见启动连续4年涨价，与联发科此前提到的“将反映成本上调芯片售价”相呼应，预料将引爆下一波芯片涨价潮。
有机构指出，随着全球通货膨胀盛行，加上台积电海外建厂与生产成本提高，为了维持高毛利率，预估2026年起台积电5nm制程以下价格将上涨约5%—10%。
根据研究机构预测，虽然2026年个别先进制程涨幅不一，但整体涨幅将优于今年。
芯片设计业者指出，台积电此次调涨恐怕意味着将逐步缩减7纳米以上成熟制程的产能，AI、服务器与HPC应用将成为主要受益领域。
业界人士指出，台积电会综合考量客户采购规模、合作深度等因素来决定具体涨幅，确保在反映成本的同时维持客户关系稳定。
先进制程已成为台积电主要成长驱动力。5nm与3nm家族制程占今年第二季营收达六成，第三季持续维持这一比例，其中3nm占23%，5nm占37%。
台积电多次强调，公司与客户密切合作规划产能，并投资先进和特殊制程技术以支持客户需求，同时在客户信任下获取适当报酬。目前先进制程因AI应用需求持续供不应求。
分析认为，随着AI相关需求成长，将带动台积电营收获利持续增长。外资此前已上修该公司AI应用营收的中长期预测，原先预计2028年AI应用将达到总收入的35%，目前可望提早在今年或明年达成。
TrendForce预测，晶圆厂受益于AI带动电源管理芯片需求，已规划2026年全面上调代工价格。尽管具体涨幅尚待协商，但市场涨价氛围已经形成。台积电在先进制程领域的领先地位与产能紧缺态势，为其持续调价提供了支撑。
芯片巨头暂停报价
目前，全球芯片涨价潮愈演愈烈。据中国台湾电子时报援引供应链消息称，三星电子已率先暂停10月DDR5 DRAM合约报价，引发SK海力士和美光等其他存储原厂跟进，恢复报价时间预计将延后至11月中旬。
报道指出，第四季度上游原厂仅对科技龙头或一线云厂商提供报价，DDR5几乎完全没有释放产能给其他一般客户，存储“已完全进入卖方市场”。 不仅如此，未来存储三大原厂的供货策略将愈发严格，仅向长期客户提供报价；这也意味着，原厂不提供报价或将成为常态，迫使有紧急需求的客户转向现货市场抢货。
业内人士透露，虽然存储四季度合约价上涨已成为市场共识，但此前预期是10月底前就可以敲定四季度合约价。但三星迟迟不愿提供合约报价，直接告诉下游客户“无货可卖”，导致短短一周内，DDR5现货价格飙升25%。
目前四季度合约价格尚未敲定，但该报道称，据推测，自今年第四季度至明年上半年，DDR5价格将“连续三级跳”暴涨，逐季朝向30%—50%的涨幅推进。以此推算，2026年上半年DDR5 16Gb报价或高达30美元。
业内将本轮涨价视为“超级周期”的启动，AI是核心驱动力，全球对高带宽内存HBM的需求急剧增加。例如，OpenAI名为“星际之门”的数据中心项目预计每月需要高达90万片晶圆。
国泰君安证券指出，存储行业已进入新一轮上行周期，随着AI大模型训练和推理对内存容量的需求激增，HBM和DDR5内存的紧缺将进一步传导至整个存储产业链。
集邦咨询最新报告预估，第四季度，一般型DRAM价格将上涨18%至23%，若加计HBM，涨幅将扩大至23%至28%；预估NAND Flash各类产品合约价也将全面上涨，平均涨幅为5%至10%。
集邦咨询分析师许家源表示，进入第四季度，随着北美云服务商陆续释放出积极的2026年DRAM需求展望，预计将带动DRAM整体需求增长及价格上涨，动能延续至2026年。
TechInsights的10月统计数据显示，第三季度DRAM平均库存降至8周，低于去年同期的10周与2023年初的31周，市场供应快速吃紧。
多名知名存储分析师预测，DRAM和NAND Flash市场目前均出现缺货现象，预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上涨。
排版:汪云鹏
校对:杨立林
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