5月9日，全球领先的功率半导体供应商瑞能半导体携其最新产品亮相在德国纽伦堡揭幕的PCIM Europe 2023。产品组合包含碳化硅器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET, IGBT，保护器件以及功率模块，丰富的产品矩阵彰显了瑞能半导体领先的产品实力和对未来电力电子行业可持续发展的思考，受到了与会者的高度关注。CEO Markus Mosen先生率领公司研发工程师、市场部、销售部组成的参展团队出席了活动现场。
PCIM Europe，即“纽伦堡电力电子系统及元器件展”，是欧洲电力电子及其应用领域、智能运动和电能质量最具影响力的展览会，也是全球最大的功率半导体展会。
此次展会，瑞能半导体以“Powerefficiency for a cooler planet”为主题，在PCIM Europe的展台呈现了最新技术的现场展示，包括了硅基、碳化硅的功率器件在充电桩、车载充电器的应用，在可再生能源市场的产品突破，并通过一系列的汽车级功率器件组合的展示，显示了公司的产品在向着创造一个更干净，更节能的应用方向迈进。
瑞能半导体CEO Markus Mosen先生表示:“聚焦当下市场火热的可再生能源产业，瑞能半导体作为卓越的器件供应商，一直都在依托创新和优化产品设计来适应市场的变化，满足客户的需求。我们非常重视在PCIM Europe亮相的机会，进一步展示出瑞能技术的全新实践应用。未来，我们将会持续推出有竞争力的产品，依靠我们强大的研发和应用团队，将我们的丰富的功率产品整合为系统级的解决方案，来给我们客户带来更大的价值，更好的服务。”
不止于契合新能源汽车主流趋势的汽车级产品和以耐高温、耐高压等优异特性著称的碳化硅器件，作为功率半导体的领军企业，瑞能半导体的多种功率器件组合都有着各自的优势和特点。
在今年PCIM Europe展台，瑞能半导体展示的1200V和1700V碳化硅MOSFETs就具备业内领先的FOM*QG)指数，安全的开启电压以及可靠的栅极氧化层设计，同时可以实现更加稳定的导通电阻高温性能。得益于更高晶胞单位密度的先进工艺和优化的晶胞结构，MOSFET在导通电阻和栅极电荷特性方面能做到更好的平衡，降低变换器的损耗和器件温升，提升变换效率。
第四代的650V快恢复二极管具有耐压高，漏电流底，恢复速度快，抗雪崩能力强等特点，优化的终端设计以及先进的寿命控制技术，能有优秀的EMI性能表现以及国际一流的可靠性，已经被消费和工业类客户广泛采用，应用于开关电源，UPS，光伏以及储能等终端应用中。
瑞能半导体的多层外延结构的SJ-MOSFET具有高耐压，低内阻，优异的Rsp等特点，在提升功率密度的前提下，同时可以提供极低的开关损耗和优秀的电磁干扰能力(EMI),适合应用于开关电源，通讯电源，光伏于储能以及汽车充电桩等应用中。
在可控硅产品解决方案的展示中，瑞能半导体重点突显了其可控硅平面设计工艺的优势，包括具备最大的150℃的工作结温，低漏流和优秀的可靠性。特别强调的是，部分封装通过了UL1557绝缘认证，高达2500V的隔离耐压能力可以为用户提供更高的安全保障。
“高效，可靠，创新”一直是瑞能半导体所保持和追求的目标，我们的发展愿景就是成为全球领先的功率半导体中国供应商，通过为客户提供各种高度可靠、高性价比和勇于创新的功率半导体器件，让客户在具体应用中实现最佳效率。
在今年，瑞能半导体将持续专注产品投入，加速重点技术研发，实现全球业务上的稳定增长。特别是在经历了外部市场和大环境变化等多重不确定性的考验后，瑞能半导体会优化渠道布局，更加坚定不移地与客户、合作伙伴携手同行，将产品和技术的维度做深做强，不断加快创新的发展步伐，拓展更多的市场空间，实现业务的欣欣向荣，共同塑造美好的未来。
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